核心观点

  2024年8月，日本政府正式推出了全球创业园区（Global Startup Campus, GSC）计划，以位于东京目黑区、涩谷区的“旗舰园区”为核心，打造具有“深科技”（Deep Tech）研究与开发、孵化与加速、人力资源发展和创新生态建设四大功能，不断涌现出颠覆性技术和世界级科技企业的国际化创新生态系统枢纽，形成驱动日本科技创新和经济增长的新引擎。

  “旗舰园区”是GSC研发与创业主要功能的承载实体。日本政府已在东京划拨了26000平方米土地，规划建设一座具有世界最高标准的设计和便利性，能促成各种研究者、创业者和来访者“意外邂逅”，激发创新灵感和跨界合作的功能性建筑，根据规划，GSC旗舰园区将聚焦高价值潜力的“深科技”领域，在紧凑空间内实现面向市场的研发、概念验证、创业孵化、公共交流互动和国际化生活服务等多元功能的高度集成，吸引世界顶尖人才和一流机构入驻。GSC旗舰园区预期将于2025年完成设计，2029年正式建成投入使用。

  GSC旗舰园区的运营负责人将从具有丰富经验的成功科技创业者中遴选任命。负责人应兼具科技、商业和管理方面的成功经验，并与海外大学、研究机构、公司、投资者等有广泛的联系，以推动园区的可持续运营。旗舰园区建设前期将以政府投入为主，日本科学技术振兴机构（JST）已设立了636亿日元的专门基金，作为GSC至2032财年的公共预算经费保障。日本政府还将围绕GSC旗舰园区推进一系列行政管理制度创新，包括实行与国际接轨的项目主任（PD）制科技项目管理体制，从签证、住房、银行账户、生活服务等方面为便利海外科研人员和创业者提供政策支持等。

  剑桥创新中心（CIC）高级顾问，GSC咨询专家维克多·穆拉斯（Victor Mulas）指出，GSC打造世界级科技创业枢纽的关键在于形成创新的“临界质量”和“引爆效应”。“临界质量”意味着集聚垂直领域高密度的多元创新主体（包括研究者、大学、科研机构、公司、创业团队、投资机构等），通过密集交融互动，促进面向市场的创新自发涌现。“引爆效应”指诞生出在全球市场商业化中取得重大成功的领先创新案例，进而形成自发的吸引、学习、扩散和增殖效应。为此，GSC旗舰园区规划建设中强调把研发“深科技”的研究室、从事转化研究的实验室、概念验证场地、科技创业服务机构和金融机构等在临近空间紧密整合起来，以支撑促进全链条一体化创新。